EJEMPLO 1 EN PSEINT
//campo magnetico
SubProceso campo()
Escribir "calculo del campo magnetico";
Escribir "ingrese la corriente";
Leer i;
Escribir "ingrese la permeabilida magnetica";
Leer u;
Escribir "ingrese longitud";
Leer l;
inicial2=10;
final2=100;
Si l<>0 Entonces
Para n<-inicial2 Hasta final2 Con Paso 15 Hacer
b=u*i*n/l;
Escribir "el campo magnetico es",b, "cuando el numero es n ", n;
Fin Para
Sino
Escribir "no se puede determinar"
Fin Si
Fin SubProceso
//tension
SubProceso tension()
Escribir "calculo del procedimiento de la caida de la tension";
Escribir "ingrese la corriente";
Leer i;
Escribir "ingrese la seccion";
Leer s;
ang=0.88;
dro=0.0175;
inicial1=2.5;
final1=10;
Si s<>0 Entonces
Para p<-inicial1 Hasta final1 Con Paso 0.5 Hacer
t=(dro*rc(3)*i*p*cos(ang))/s;
Escribir "la caida de la tension es", t, "cuando la potencia es p", p;
Fin Para
Sino
Escribir "no se puede determinar"
Fin Si
Fin SubProceso
//corriente
SubProceso corriente()
Escribir "calculo del procedimiento de la corriente";
Escribir "ingresa la resistencia";
Leer r;
Escribir "ingrese la impedancia inductiva";
Leer xl;
Escribir "ingrese la impedancia capacitica";
Leer xc;
inicial=110;
final=220;
Si xl<>xc Entonces
Para v<-inicial Hasta final Con Paso 10 Hacer
i<-v/(rc(r^2+(xl-xc)^2));
Escribir "la corriente es", i, "cuando el voltaje v", v;
Fin Para
Sino
Escribir "xl es diferente que xc"
Fin Si
FinSubProceso
Proceso parametro1
Definir i,v,r,xl,xc Como Real;
definir t,dro,p,s,ang como real;
definir b,u,n,l como real;
definir inicial2,final2 como real;
definir inicial1,final1 como real;
definir inicial,final,opcion Como Entero;
escribir " menu";
escribir " 1-calculo de la corriente";
escribir " 2-caida de tension";
escribir " 3-campo magnetico";
escribir " elija una opcion";
leer opcion;
Segun opcion Hacer
1:
corriente()
2:
tension()
3:
campo()
De Otro Modo:
escribir "no valido";
Fin Segun
FinProceso
Estructuras repetitivas finita (Para)
EJEMPLO 2 EN PSEINT
// voltaje
SubProceso voltaje()
escribir " ingrese valor para vo";
leer vo;
escribir " ingrese valor para angulo";
leer w;
inicio3=2;
final3=15;
Si vo>4 Entonces
Para t<-inicio3 Hasta final3 Con Paso 2 Hacer
vol=vo*t*sen(w);
escribir "el voltaje es ",vol;
Fin Para
Sino
escribir " es indeterminado";
Fin Si
Fin SubProceso
//energia cinetica
SubProceso energiacinetica()
escribir " ingrese valor para u";
leer u;
inicio2=10;
final2=20;
Si u<>0 Entonces
Para m<-inicio2 Hasta final2 Con Paso 2 Hacer
ec=(m*u^2)/2
escribir "la energia cinetica es ",ec;
Fin Para
Sino
escribir " es indeterminado";
Fin Si
Fin SubProceso
// inductancia
SubProceso inductancia()
escribir " ingrese valor para fm";
leer fm;
escribir " ingrese valor para i";
leer i;
inicio=100;
final=200;
Si i>2 Y i<10 Entonces
Para n<-inicio Hasta final Con Paso 1.5 Hacer
l=fm*n/i
escribir "la inductancia es ",l;
Fin Para
Sino
escribir " es indeterminado";
Fin Si
Fin SubProceso
Proceso formulas
definir l,fm,i,n,ec,u,v,m,vo,vol,w,t,menu Como Real;
definir inicio,final,opcion,inicio2,final2,inicio3,final3 Como Entero;
Escribir "menu";
Escribir "1-inductancia";
Escribir "2-energia cinetica";
Escribir "3-voltaje";
escribir " ingrese opcion";
leer opcion;
Segun opcion Hacer
1:
inductancia()
2:
energiacinetica()
3:
voltaje()
De Otro Modo:
escribir "fuera de rango"
Fin Segun
FinProceso
TRANSITORES
OBJETIVOS:
-
Comprender y aprender el funcionamiento de un amplificador en configuración emisor-común.
-
Elaboración de diseños para un punto de operación en el centro de la recta de carga.
-
Que el alumno comprenda el funcionamiento de un amplificador en configuración emisor-común con polarización fija, por retroalimentación y con polarizacion por divisor de voltaje.
-
Analizar los estados del transistor (punto de operación, corte y saturación); así como la relación de ganancia que se presenta entre la salida y la entrada de un circuito.
ALCANCES:
Cuando se dio a conocer públicamente, en 1948, el transistor recibió poca atención. El New York Times publicó un artículo de cuatro párrafos en el que decía que el dispositivo de un poco más de un centímetro tiene muchas aplicaciones en radio, donde comúnmente se utiliza el tubo de vacío .
Hoy, casi medio siglo más tarde, los transistores han reducido su tamaño de manera notoria y se encuentran por millones en los microprocesadores (chips) de los computadores. También pululan como cerebros electrónicos de juguetes, cámaras, relojes, máquinas de fax, teléfonos celulares, radios, instrumentos musicales, carros, aviones, televisores, cohetes, satélites y un sin número de dispositivos.
JUSTIFICACION:
Los transistores forman parte de casi todos los aparatos electrónicos que usamos cotidianamente, como son: el teléfono móvil, el televisor, la computadora, etc. Un transistor está compuesto, fundamentalmente, de un material semiconductor, generalmente silicio, que se puede utilizar como:
- Amplificador, para aumentar la amplitud de una señal eléctrica.
- Interruptor, para interrumpir el paso de una corriente eléctrica en un circuito.
- Oscilador, para generar corrientes eléctricas oscilatorias.
El transistor fue inventado en 1948 por los estadounidenses John Bardeen (1908-1991), Walter Houser Brattain (1902-1987) y William Bradford Shockley (1910-1989) en los Laboratorios Bell, hecho por el cual fueron galardonados con el Premio Nobel de Física en 1956. Dos años después, el estadounidense Jack S. Kilby (1923-2005) inventó el chip, también conocido como circuito integrado.
MARCO TEORICO
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" ("resistencia de transferencia"). Actualmente se les encuentra prácticamente en todos los enseres domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y vídeo, hornos de microondas, lavadoras, reproductores mp3, celulares, etc.
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales específicos en cantidades específicos) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). El transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada.
Tipos de Transistor
Transistor de contacto puntual:
Primer transistor, consta de una base de germanio semiconductor, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector.
Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso, en la actualidad ha desaparecido.
Transistor de unión bipolar:
El transistor de unión, se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio o Silicio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P).
La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminación (impurezas adicionadas intencionalmente) entre ellas (por lo general, el emisor está mucho más contaminado que el colector).
Transistor de efecto de campo
El transistor de efecto campo es una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
La mayoría de los FET están hechos usando las técnicas de procesado de semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la región activa o canal.
Los transistores de efecto de campo más conocidos son los JFET, MOSFET y MISFET.
Fototransistor
Sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide sobre la región de base, generando portadores en ella. Esta carga de base lleva el transistor al estado de conducción. El fototransistor es más sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia propio del transistor.
Un fototransistor es igual a un transistor común, con la diferencia que el primero puede trabajar de 2 formas:
1.- Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo común).
2.- Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. Ip (modo de iluminación).
Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas, lápices ópticos, etc. Para comunicaciones con fibra óptica se prefiere usar detectores con fotodiodos p-i-n. También se pueden utilizar en la detección de objetos cercanos cuando forman parte de un sensor de proximidad.
Se utilizan ampliamente encapsulados conjuntamente con un LED, formando interruptores ópticos (opto-switch), que detectan la interrupción del haz de luz por un objeto. Existen en dos versiones: de transmisión y de reflexión.
Disipadores de calor
Un disipador es un componente metálico generalmente de aluminio que se utilizan para evitar que los transistores bipolares se calienten y se dañen.
Por ello una manera de aumentar la potencia de un transistor es deshacerse del calor interno del encapsulado.
Transistor de potencia
Son similares a los transistores comunes, con la diferencia que soportan altas tensiones e intensidades que soportan, pero debido a ello también tienen que disipar altas potencias y su recalentamiento es prolongado; para evitar el sobrerecalentamiento se usa los disipadores.
Tipos de transistores de potencia:
- Bipolar.
- Unipolar o Transistor de Efecto de Campo.
- IGBT (Transistor bipolar de puerta aislada).
CONCLUSION
En cuanto lo expuesto vemos que los transistores se encuentran en la gran mayoría de productos electrónicos como: Smartphone, Celulares, Laptop, Tablets, etc.
Por ende su uso es indispensable en todo tipo de aparatos electrónicos, debido a su variedad en tipo como lo son los transistores bipolares.
Por lo dicho, llegamos a la conclusión de que los transistores en su uso actual son indispensables para la elaboración de aparatos de tecnología que requieren algún tipo de transferencia, la cual lo ofrece un transistor.